Theory of the gain characteristics of InGaN/AlGaN QD Lasers
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
THEORY OF THE GAIN CHARACTERISTICS OF InGaN/AlGaN QD LASERS
We present a theoretical analysis of the gain characteristics of InGaN/AlGaN quantum dot (QD) lasers. We calculate the elastic strain distribution caused by the lattice mismatch between the QD and the barrier using an original method which takes into account the hexagonal symmetry of the structure’s elastic properties. The method is based on an analytical derivation of the Fourier transform of ...
متن کاملthe analysis of the role of the speech acts theory in translating and dubbing hollywood films
از محوری ترین اثراتی که یک فیلم سینمایی ایجاد می کند دیالوگ هایی است که هنرپیش گان فیلم میگویند. به زعم یک فیلم ساز, یک شیوه متأثر نمودن مخاطب از اثر منظوره نیروی گفتارهای گوینده, مثل نیروی عاطفی, ترس آور, غم انگیز, هیجان انگیز و غیره, است. این مطالعه به بررسی این مسأله مبادرت کرده است که آیا نیروی فراگفتاری هنرپیش گان به مثابه ی اعمال گفتاری در پنج فیلم هالیوودی در نسخه های دوبله شده باز تولید...
15 صفحه اولIII-Nitride QD Lasers
III-Nitrides QD lasers are studied in detail. Two types of QD structures are considered, GaN/AlxGa1-xN/AlN and InxGa1-xN/ In0.04Ga0.96N /GaN. Effects of: QD size; QD and WL composition; and doping are studied through the calculations of gain, threshold current, and intensity modulation bandwidth. It is shown that GaN QDs are less sensitive to size fluctuations. Bandwidth increases with doping a...
متن کاملEnhanced Modulation and Noise Characteristics in 1.55 µm QD Lasers using Additional Optical Pumping
The modulation response, relative intensity noise (RIN) and frequency noise (FN) characteristics of quantum dot (QD) lasers are investigated theoretically in the presence of an external optical beam. Using small signal analysis of the rate equations for carriers and photons, it is demonstrated that by injecting excess carriers into the QDs excited state through optical pumping, the modulation r...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research
سال: 1999
ISSN: 1092-5783
DOI: 10.1557/s1092578300003318